創意、美光 3奈米HBM3E開花

　ASIC設計服務公司創意24日宣布，其3奈米HBM3E控制器和實體層I P（Physical Layer IP）獲得雲端服務供應商（CSP）及多家高效運 算（HPC）業者採用。該尖端ASIC預計將於今年流片，並搭載最新的 9.2Gbps HBM3E記憶體技術；創意表示，積極與HBM供應商（如美光） 合作，為下一代AI ASIC開發HBM4 IP。　　創意的HBM3E IP方案在技術上領先市場，並已通過台積電先進製程 技術的矽驗證，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P製程。此外，創意 電子的IP亦通過所有主流HBM3供應商的矽驗證，確保其解決方案的兼 容性與穩定性；公司積極與HBM記憶體供應商如美光科技合作，致力 於開發下一代HBM4 IP，以應對未來更多元化的應用需求。　　法人指出，創意與CSP業者合作密切，其中包含微軟、谷歌等都有 協助開發ASIC經驗。推測該案為打造base die，法人分析，以9.2Gb ps傳輸速度為分野，速度要更快就必須使用先進製程logic die，如 果要再連接UCIe（通用小晶片互連）即要使用5奈米甚至客製化。　　目前除了輝達、超微通用型GPU大廠外，HBM3E解決方案採用率不高 ，但伴隨今年流片，未來將成為AI伺服器標配，甚至加快往更高階之 HBM4。創意於HBM4 IP已經準備完成，有望為公司創造更大獲利。　　創意表示，與美光的合作證明，創意之HBM3E IP與美光HBM3E可以 在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps高頻寬記憶傳輸；現在更通 過多個先進技術與主流廠商的驗證，獲多家大廠採用。創意行銷長A ditya Raina提到，未來將持續為各種應用提供支持，包括人工智慧 、高效能運算、網路和汽車。