TrendForce（集邦科技）18日出具報告表示，由於中國致力推動在 地化生產、IC國產化等政策與補貼，擴產相當積極，預估中國成熟製 程產能在全球占比將從今年的29％，成長至2027年的33％，其中以中 芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Ne xchip）擴產最為積極；同期台灣成熟製程占比則會從49％，收斂至 42％，台廠以世界先進及力積電受影響較明顯。　　TrendForce指出，中國成熟製程擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與 Power Discrete等領域，二、三線台廠首當其衝。　　Driver IC方面，主要採用HV（High Voltage）製程，各家業者近 期聚焦40/28nm HV製程開發，而目前市場製程技術較領先的業者是聯 電，其次是格羅方德（GlobalFoundries）。不過，中芯國際28HV、 合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段， 並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小，尤其製程能力與產能相 當競爭者如力積電，或暫無12吋廠的世界先進、東部高科（DBHitek ）短期內將首當其衝；對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。　　CIS/ISP方面，3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程 大致以45/40nm為分水嶺，目前技術領先業者以台積電（TSMC）、聯 電、三星（Samsung）為主，但中芯、合肥晶合集成緊追其後，預期 後續將訂單移回中國進行投產。　　Power Discrete（功率元件）方面，主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產 品，世界先進深耕已久，受惠於中國電動車補貼政策以及太陽能基礎 建設，中國晶圓代工業者獲得更多切入機會，若中國產能同時大量開 出，不僅中國本土出現價格戰，也可能分食台系業者訂單及客戶。　　TrendForce認為，中國大幅擴產可能造成全球成熟製程產能過剩， 價格戰將隨之而來，中國本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似製程 平台及產能的二、三線晶圓代工業者，可能面臨客戶流失風險與價格 壓力，如聯電、力積電與世界先進等台系業者將首當其衝，技術進展 和良率將是後續鞏固產能的決勝點。