首頁 » 新聞特區 »
未上市新聞
» 創意、美光 3奈米HBM3E開花
創意、美光 3奈米HBM3E開花
ASIC設計服務公司創意24日宣布,其3奈米HBM3E控制器和實體層I P(Physical Layer IP)獲得雲端服務供應商(CSP)及多家高效運 算(HPC)業者採用。該尖端ASIC預計將於今年流片,並搭載最新的 9.2Gbps HBM3E記憶體技術;創意表示,積極與HBM供應商(如美光) 合作,為下一代AI ASIC開發HBM4 IP。 創意的HBM3E IP方案在技術上領先市場,並已通過台積電先進製程 技術的矽驗證,包括N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P製程。此外,創意 電子的IP亦通過所有主流HBM3供應商的矽驗證,確保其解決方案的兼 容性與穩定性;公司積極與HBM記憶體供應商如美光科技合作,致力 於開發下一代HBM4 IP,以應對未來更多元化的應用需求。 法人指出,創意與CSP業者合作密切,其中包含微軟、谷歌等都有 協助開發ASIC經驗。推測該案為打造base die,法人分析,以9.2Gb ps傳輸速度為分野,速度要更快就必須使用先進製程logic die,如 果要再連接UCIe(通用小晶片互連)即要使用5奈米甚至客製化。 目前除了輝達、超微通用型GPU大廠外,HBM3E解決方案採用率不高 ,但伴隨今年流片,未來將成為AI伺服器標配,甚至加快往更高階之 HBM4。創意於HBM4 IP已經準備完成,有望為公司創造更大獲利。 創意表示,與美光的合作證明,創意之HBM3E IP與美光HBM3E可以 在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps高頻寬記憶傳輸;現在更通 過多個先進技術與主流廠商的驗證,獲多家大廠採用。創意行銷長A ditya Raina提到,未來將持續為各種應用提供支持,包括人工智慧 、高效能運算、網路和汽車。