高頻寬記憶體（HBM）供需問題，成為記憶體產業界高度關注問題 ，法人機構調查後發現，2025年HBM需求有上升空間，且因客製化程 度高，通用性也不強，在國際廠商計畫性生產下，預期2025年不易有 超額供給問題。　　HBM是一種可以用於高速運算、能運送大量資料的記憶體，目前市 場由三星、SK海力士與美光三大DRAM廠所壟斷。　　台系廠商未生產HBM，因此法人關注重點在於，三大DRAM廠產能擴 產情況，對整體DRAM供需及報價的影響，以及台廠如威剛等，在HBM 延伸應用領域的進度。　　市場法人分析，2025年HBM主流規格，將轉為8層和12層的HBM3E， 其中，12層的HBM3E將搭配輝達（NVIDIA）的Blackwell系列，以及超 微（AMD）的MI325、MI350等AI加速器使用。　　根據外資券商瑞銀證券調查發現，儘管市場上輝達晶片延遲出貨傳 聞不斷，但該券商重申，三星及SK海力士的12層HBM3E，皆將於2024 年第四季開始出貨給輝達。　　該券商預測，隨著客戶詢問熱度不退，2025年HBM需求，仍有上升 空間，可能接近或超過瑞銀預測的223億GB。　　另據市場法人調查發現，由於HBM客製化程度高，需通過輝達、超 微及ASIC方案商驗證通過，才能正式出貨，屬計畫性生產，供給增加 量有限。　　在製程上，HBM前段製程與DDR5共用，後段矽穿孔（TSV）及熱壓鍵 合（TCB）等設備為特殊用途。HBM供應商不致於因設備的折舊壓力， 而生產過多產品，因此，研判2025年HBM出現供給過剩的機率不大。　　法人預期，三星、SK海力士與美光三大DRAM廠商，在2025年將致力 於升級到1b／1β，甚至1c奈米製程，以應對未來伺服器市場對下一 代高頻寬記憶體HBM3E、128GB或更高DDR5模組需求。　　至於用於生產DDR4、DDR3等成熟製程供給，三大DRAM廠商則將持續 減少，因此，法人研判，2025年DRAM市場供需有望維持平衡。