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高傳導、低膨脹 格斯 開發奈米級矽碳負極材料
格斯(6940)攜手中研院、台科大,成功開發出可大量商品化的奈 米級矽碳負極材料,團隊透過創新獨特的化學材料碳源,及簡單的水 溶液工法,製備高傳導性、低膨脹性的矽碳奈米複合材料,突破過去 矽碳負極低電子傳導性、高膨脹率的困境,未來格斯在電芯負極應用 發展動向,值得業界關注。 格斯技術長葉國偉博士表示,新的矽基負極材料較傳統石墨負極理 論比容量高,傳統矽基負極受限於較低的電子傳導性及充電時高達三 倍的體積膨脹現象,在電池充放電過程中極片易爆裂粉碎剝落,大量 商業化面臨很大的挑戰。 為解決以往矽碳負極實用上的重大挑戰,格斯研發團隊採用常見的 染髮劑成份-含氮的對苯二胺作為碳源,並以簡單的水溶液方法製備 出矽包碳奈米複合材料。 而這種矽包碳技術可大幅提升矽基負極材料的電子傳導性,也成功 抑制體積膨脹現象,確保高效的鋰離子傳輸。